本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力。在量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下一步目标是286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。
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